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AT650/850P 臺(tái)式等離子原子層沉積設(shè)備，其以熱系統(tǒng)，配備新高級(jí)空心陰極源與 60 MHz RF，有低氧污染等特點(diǎn)；占地小，可容納 6 英寸及更小樣品，可選定制卡盤；有 4 個(gè)有機(jī)金屬源前驅(qū)體、多達(dá) 4 個(gè)氧化劑 / 還原劑源；具備高溫兼容快速脈沖 ALD 閥等；溫度范圍廣，靜態(tài)處理模式可獲高曝光 。