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簡(jiǎn)要描述:AT650/850T 臺(tái)式熱原子層沉積設(shè)備,具備現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)為等離子體模式的能力,占地面積小(38.1 厘米,寬 15 英寸),可容納直徑為 6 英寸或更小的樣品。
產(chǎn)品型號(hào):
所屬分類:AT650/850T 臺(tái)式熱原子層沉積設(shè)備
更新時(shí)間:2025-07-31
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
AT650/850T 臺(tái)式熱原子層沉積設(shè)備
AT650/850T 臺(tái)式熱原子層沉積設(shè)備,具備現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)為等離子體模式的能力,占地面積小(38.1 厘米,寬 15 英寸),可容納直徑為 6 英寸或更小的樣品。
特征
· 占地面積小(38.1 厘米;寬 15 英寸,深 15 英寸)臺(tái)式熱敏 ALD
· 可容納直徑為 6 英寸的樣品,并帶有可選的可定制卡盤(pán)。
· 可在現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)為等離子體。
· 暖壁鋁室,帶 40 – 400°C 的加熱樣品架
· 3 種有機(jī)金屬前驅(qū)體可加熱至 185°C,另外一種在標(biāo)準(zhǔn)條件下*
· 多達(dá) 4 個(gè)氧化劑/還原劑源,每個(gè)氧化劑/還原劑源均具有超快 MFC(2 個(gè)標(biāo)準(zhǔn))
· 高溫兼容快速脈沖 ALD 閥,帶有超快 MFC,用于
· 集成惰性氣體吹掃
· 靜態(tài)處理模式下可獲得高曝光
* 可升級(jí)至 4 個(gè),全部加熱至 185°C。
規(guī)格
· 基板溫度從室溫到 400 °C ± 1 °C(500 °C 可選);前驅(qū)體溫度從 RT 到 180 °C ± 2°C(帶加熱夾套)
· 占地面積小(15 英寸 x 15 英寸),臺(tái)式安裝,兼容潔凈室
· 系統(tǒng)維護(hù)簡(jiǎn)單,公用事業(yè)成本低。
· 流線型腔室設(shè)計(jì)和小腔室容積
· 快速循環(huán)能力和高曝光,可進(jìn)行深度滲透處理
· 完整的硬件和軟件聯(lián)鎖,即使在多用戶環(huán)境中也能安全運(yùn)行。
選項(xiàng)
· 等離子升級(jí)
· 定制卡盤(pán)/壓板
· ATOzone – 臭氧發(fā)生器(某些薄膜需要:Pt、Ir、SiO2、MoO2、60°C 以下的高質(zhì)量 Al2O3、高質(zhì)量 HfO2)
· QCM(石英晶體微量天平)
· 額外的反反應(yīng)物管線(MFC 控制)——最多 2 個(gè)額外的
· 可選第 4 加熱前驅(qū)體 (185°C)
· 外部控制 – PC/軟件鏈接(允許遠(yuǎn)程編程和運(yùn)行)
· 高于標(biāo)準(zhǔn)壓力狀態(tài)
· 定制系統(tǒng)
設(shè)施
有關(guān)詳細(xì)說(shuō)明,請(qǐng)參閱我們的演示和視頻說(shuō)明:“AT650T 安裝和啟動(dòng) "
· N2 吹掃氣體應(yīng)為 >99.9995%,帶有截止閥(調(diào)節(jié)至 10 – 30 psi,金屬密封)。
輸入線是 1/4 母頭 VCR 壓縮接頭
通過(guò) 1/4 英寸金屬線將 99.9995% 氮?dú)?(UHP) 吹掃氣體>背面的 1/4 英寸壓縮接頭連接起來(lái)
· 通過(guò) 90/110 英寸聚乙烯管或金屬線將 1-4 psi CDA(清潔干燥空氣)連接到另一個(gè)標(biāo)有 CDA(清潔干燥空氣)的 1/4 英寸壓縮接頭
· 最小 19.5cfm 濕泵(**需要 PTFE 真空流體(如 Fomblin))(干泵是可選的)
NW40 (1.5“) 連接和排氣管(帶 5cfm > 的抽吸)
大于 1 米應(yīng)使用 NW50 排氣管路
· 前體通過(guò)內(nèi)螺紋 VCR 彎頭連接(始終使用新墊圈)。
彎頭:1/4“ 墊圈先(戴手套)
有關(guān)前驅(qū)體的連接,請(qǐng)參閱“AT650T 安裝和啟動(dòng)"
軟件
有關(guān)詳細(xì)說(shuō)明,請(qǐng)參閱我們的演示和視頻說(shuō)明:“AT650T 安裝和啟動(dòng) "
· 帶 10 英寸觸摸屏的人機(jī)界面 (HMI) PLC 系統(tǒng)
面板
· 適用于標(biāo)準(zhǔn) ALD 循環(huán)沉積的高級(jí)控制,如納米層壓板、摻雜薄膜和三元薄膜
· 用于高質(zhì)量、經(jīng)過(guò)測(cè)試的工藝的配方數(shù)據(jù)庫(kù)
· 自定義配方輸入屏幕
· 實(shí)時(shí)顯示工藝狀態(tài)
· 可單獨(dú)編程的加熱源溫度
· 用于三元化合物和納米層壓板的內(nèi)置脈沖序列
· 快速運(yùn)行,簡(jiǎn)單的問(wèn)題讓用戶開(kāi)始
輸入子周期和總周期